na芯片是多少nm_na芯片是个什么水平
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受AI芯片需求刺激 台积电加速High-NA EUV部署近期台积电3nm产能需求旺盛,大量客户下单使得产能处于满载状态,同时即将到来的2nm工艺也受到了客户的欢迎,台积电正在考虑继续扩大2nm产能,满足以AI芯片为首的增长需求。随着客户进一步推动人工智能业务发展,在市场需求刺激下,台积电也加快了High-NA EUV光刻机的部署,以后面会介绍。
光刻技术进化,ASML探索Hyper-NA EUV:2030推进至0.7nm工艺Low-NA EUVASML 现有的Low-NA EUV 光刻工具孔径数值(NA)为0.33,线宽/ 关键尺寸(CD)为13.5nm,单次曝光下能够产生最小26nm 的金属间距、25-30nm 的T2T(针尖对针尖,切割线末端之间的距离)互连间距,足以生产4nm / 5nm 工艺的芯片。而3nm 工艺需要T2T 互连间距缩短到等会说。
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价值3.83亿美元 Intel拿下全球第二台High NA EUV光刻机8月6日消息,在近日的财报电话会议上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV(极紫外光刻机)。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一,其分辨率达到8纳米,能够显著提升芯片的晶体管密度和性能,是实现2nm以下先进制程大规模量产的后面会介绍。
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