jfet有什么用-游元科技

安森美拟1.15亿美元收购碳化硅JFET技术业务安森美宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一季度完成。

上海合谱微电子申请一种横向SiC-JFET器件及其制备方法专利,解决...金融界2024年11月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海合谱微电子技术有限公司申请一项名为“一种横向SiC-JFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN 118983347 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件及其制备方法。器件包括：第好了吧！

?０?

∩▽∩

红与蓝半导体取得一种垂直JFET异质光电晶体管及其制备方法专利金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，红与蓝半导体(佛山)有限公司取得一项名为“一种垂直JFET异质光电晶体管及其制备方法”的专利，授权公告号CN 118299444 B,申请日期为2024年4月。

o(?""?o

强华时代申请改善栅极电场的碳化硅场效应管器件专利,解决碳化硅场...包括多层JFET区域模块；所述多层JFET区域模块包括从下到上依次堆叠的第一JFET区域层、第二JFET区域层和第三JFET区域层；所述第一JFET区域层的宽度和第三JFET区域层的宽度均大于第二JFET区域层的宽度；所述第一JFET区域层、第二JFET区域层和第三JFET区域层均为n型掺说完了。

芯朋微取得一种高压型复合器件专利,基于常用工艺实现复合器件制备金融界2024年9月8日消息，天眼查知识产权信息显示，无锡芯朋微电子股份有限公司取得一项名为“一种高压型复合器件“授权公告号CN114203692B,申请日期为2021年11月。专利摘要显示，本发明揭示了一种高压型复合器件，在高压JFET器件衬底内设置有高压JFET漏极耐压漂移区及等我继续说。

比亚迪半导体取得半导体功率器件专利,该专利技术能使半导体功率...金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，比亚迪半导体股份有限公司取得一项名为“半导体功率器件“授权公告号CN111799327B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，本发明提供了半导体功率器件。该半导体功率器件包括衬底、外延层、阱区、栅极和JFET区，所述阱区包等会说。

北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利,能够降低...在传统平面栅MOSFET器件的JFET区结构上，首先通过刻蚀形成源极沟槽，利用刻蚀掩模，使用常规离子注入在沟槽下形成P型重掺杂区，再通过自对准工艺和倾斜离子注入形成P型基区和源区。相比于传统器件结构和工艺，本发明的平面栅MOSFET器件的P型重掺杂区、P型基区和源区的形好了吧！

原创文章，作者：游元科技，如若转载，请注明出处：http://youyuankeji.com/m8c46057.html

jfet有什么用

相关推荐

发表评论