有什么方法快速降低电阻_有什么方法快速降低心率
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...钙钛矿/晶体硅叠层电池及其制备方法专利,降低串联电阻提升电池FF滁州捷泰新能源科技有限公司申请一项名为“一种钙钛矿/晶体硅叠层电池及其制备方法”的专利,公开号CN 118946178 A,申请日期为2024年好了吧! 替代现有TCO复合层或n+p+隧穿复合层可以降低串联电阻提升电池FF 可以降低寄生光吸收提升电池短路电流;工艺简单,易于实现,可降低制造好了吧!
...申请一种低电阻高密度氧化物靶材前驱体及其制备方法专利,降低电阻0.8~1.0mm 的磨球的质量比为4~7:1~4:1~4。本发明的方法针对高氧化铟含量的靶材,采用了砂磨法并配合不同粒径的磨球来实现前驱体粉末之间间隙减小、降低粉末之间的直接接触电阻和位垒电阻,最终提高前驱体的密度、降低电阻、改善团聚性能。同时,本发明还提供了一种低电是什么。
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先导薄膜申请一种高密度氧化物靶材及其制备方法专利,降低电阻率所述第一氧化物前驱体粉末的粒径为20~30μm;所述第二氧化物前驱体粉末的粒径为45~73μm。本发明的方法针对高氧化铟含量的靶材,采用了少量大粒径前驱体粉末和大量的小粒径前驱体粉末,可以有效的改善该类型的靶材的相对密度、降低电阻率、提高成型效果。同时,本发明还好了吧!
浙江新纳申请一种电阻浆料及其制备方法专利,降低电阻浆料成本金融界2024 年11 月11 日消息,国家知识产权局信息显示,浙江新纳陶瓷新材有限公司申请一项名为“一种电阻浆料及其制备方法”的专利,公还有呢? 合理加入不同氧化物对温度系数变化有不同的改善作用,实现了降低电阻浆料成本,且电阻浆料电性能较好、温度系数低,因此具有广阔的应用前还有呢?
宏启胜申请电路板及电路板制备方法专利,降低电阻值的宽度。第二线路单元叠设于第二导电部背离第一导电部的一侧,第二线路单元包括电连接第二导电部的第二导电线路层。粘接层粘接于第一基材层和第二导电线路层之间。本申请提供的电路板能够便于降低电阻值以及具有较好的尺寸稳定性。本申请还提供一种电路板的制备方法。
...七所高科技申请电阻焊接焊点质量快速评价方法专利,能够大幅降低...金融界2024年9月28日消息,国家知识产权局信息显示,天津七所高科技有限公司申请一项名为“一种电阻焊接焊点质量快速评价方法”的专利,是什么。 得出焊接质量评价结果。本发明能够大幅降低DTW算法的时间复杂度和空间复杂度,从而更适用于电阻电焊动态电阻曲线这种较长时间序列的是什么。
长鑫存储申请存储器及其制造方法专利,降低接触电阻提高整个存储器...金融界2024年2月6日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“存储器及其制造方法“公开号CN117529083A,申请小发猫。 从而使得源区和位线之间具有较佳的电性连接,即使得相应的晶体管和位线之间具有较佳的电性连接,降低了两者之间的接触电阻,提高了整个存小发猫。
晶合集成申请半导体器件及其制备方法专利,降低导通电阻金融界2024 年8 月14 日消息,天眼查知识产权信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“公开号C说完了。 结构,从而在单个晶体管中形成多个沟道结构,进而通过所述多个沟道结构增加晶体管的导电面积,降低导通电阻,增强栅极结构的控制能力。
华为公司申请半导体结构的制备方法专利,用于降低欧姆接触电阻率并...金融界2023年11月28日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利,公开号CN117133653A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示,本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法,涉及半导体技术领域,用于降低欧姆接触电阻率并提升制等会说。
晶合集成申请一种 LDMOS 器件及其制备方法专利,可降低导通电阻金融界2024 年8 月14 日消息,天眼查知识产权信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种LDMOS 器件及其制备方法“公等会说。 可通过漏极端的高压在LDMOS 器件表面形成更多的可移动电子,从而降低导通电阻,同时通过横向PN 结来控制漏极端高压在LDMOS 器件的等会说。
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