半导体器件碳化硅外延片_碳化硅半导体外延片工艺流程
芯联越州取得碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件专利金融界2024年10月23日消息，国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司取得一项名为“碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件”的专利，授权公告号CN 118248535 B,申请日期为2024年5月。
民德电子:广微集成、丽隽半导体产品应用于手机快充、车辆充电桩等...快充等功率器件吗？另外请问晶睿电子的SiC现在月产能多少片。谢谢！公司回答表示：1、公司smart IDM生态圈内的功率半导体设计公司广微集成、丽隽半导体等，部分产品在包括手机快充、车辆充电桩、太阳能光伏及网络机房电源等领域得到应用。2、目前，晶睿电子的碳化硅外延片已通是什么。
海威华芯申请氧化镓 MOSFET 沟道型器件制造方法专利,提升高功率...本发明公开了一种氧化镓MOSFET 沟道型器件的制造方法，属于半导体技术领域，主要包括：在6 吋碳化硅基板上键合4 吋氧化镓外延层；在所述氧化镓外延层上设计源极、栅极以及漏极，其中将栅极设计为棋盘矩阵型，增加栅极金属的肖特基接触面积。该发明外延结构采用超宽禁带半导体是什么。
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民德电子:在功率半导体硅基器件和碳化硅器件领域基于供应链自主...公司回答表示：公司在功率半导体硅基器件和碳化硅器件领域均是基于供应链自主可控的战略进行布局，碳化硅产业链覆盖外延片制造、晶圆制造、超薄片背道加工、芯片设计等关键环节。外延片制造厂晶睿电子的碳化硅外延片已通过部分客户验证，晶圆代工厂广芯微电子的碳化硅晶圆加还有呢？
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瀚天天成上交所IPO“终止” 已实现国产8英寸碳化硅外延片技术突破公司紧跟国家第三代半导体行业的战略布局、瞄准行业前沿领域，已经实现了国产8 英寸碳化硅外延片技术的突破并已经获得了客户的正式订单，极大地推动了我国碳化硅外延晶片向大尺寸方向发展的进程。报告期内，公司服务的客户包括全球领先的半导体功率器件厂商如客户A、客户后面会介绍。
河北同光半导体取得改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法专利,能够...金融界2024 年8 月30 日消息，天眼查知识产权信息显示，河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法是什么。 改善碳化硅衬底质量，为外延材料的质量、器件制备提供可靠性。所述改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法中，先对平整度异常的衬底进行厚是什么。
扬杰科技申请碳化硅二极管器件及其制备方法专利,降低器件外延层的...扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅二极管器件及其制备方法“公开号CN117316986A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体器件。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底、碳化硅外延层、正面电极金属；所述碳说完了。
新洁能取得高耐压碳化硅肖特基二极管专利,大幅增加器件的击穿电压,...本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，半导体基板包括N型碳化硅衬底及N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区及条形第一N型阱区，在条形第一P型阱区和条形第一N型阱区下方或下表面设有若干个说完了。
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扬杰科技申请一种改善双极退化的碳化硅 MOSFET 器件及制备方法的...一种改善双极退化的碳化硅MOSFET 器件及制备方法。涉及半导体技术领域。包括如下步骤：S100,在碳化硅衬底上外延生长形成碳化硅漂移层；S200,在碳化硅漂移层源区形成N+区；S300,在碳化硅漂移层形成PW 区；S400,在PW 区形成Spacer 层，通过离子注入形成NP 区；S500,在PW还有呢？
扬杰科技申请新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法专利,进...一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的背面加厚金属、背面欧姆接触金属、碳化硅衬底、碳化硅外延层和N型注入区；所述N型注入区的顶面设有伸入碳化硅外延层的终端沟槽和若干间隔设置的源区沟槽；所述源区沟槽的槽底设小发猫。
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